Как подобрать тайминги ddr3
Перейти к содержимому

Как подобрать тайминги ddr3

  • автор:

Подбираем тайминги для DDR3 ECC \ non-ECC

ram2-300x230

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются объем, а также тактовая частота. Но помимо этого довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Таблицы таймингов DDR3

Следующие таблички помогут подобрать наиболее удачные и работоспособные тайминги для памяти DDR3 в китайских материнских платах сокета 2011 и не только.

Важно помнить, что стабильность системы, как и возможность взять ту или иную частоту зависит не только от самой памяти, но и от используемого процессора (контроллер памяти находится именно в нём) и материнской платы.

Не лишним также будет узнать, какие чипы установлены в модуле памяти. Для чипов производства Samsung можно воспользоваться этой инструкцией, для чипов других производителей — не сложно нагуглить.

tajmingi-300x203

Классическая таблица таймингов с форума Overclockers

timings-300x127

Еще один вариант таблицы. Обратите внимание на последние 4 столбца: параметр RFC выставляется в зависимости от ёмкости чипов. Определить его просто: поделите общий объём модуля на количество распаянных на нём чипов.

Некоторые особенности работы памяти на 2011 сокете

  • Частота контроллера памяти привязана к частоте ядер, поэтому скорость чтения\записи у младших моделей будет несколько ниже, чем у старших.
  • Небольшая разница между чтением и записью на процессорах второго поколения — это нормально.
  • Как ни странно, некоторые процессоры второго поколения зачастую берут более низкую частоту памяти, чем аналогичные процессоры первого поколения. Например, E5 2620 v2 и E5 2630 v2 обычно не способны работать с памятью выше 1600 Мгц. E5 2650 v2 как правило не берет больше 1866 Мгц.

Для большинства конфигураций хорошим результатом будет работа памяти на частоте 1866 Мгц с задержками менее 70 ns. В четырехканале при этом достигается скорость ~50 Гб\с.

Взять частоту в 2133 Мгц — более сложная задача, доступная уже не каждому процессору и набору памяти.

Для систем, ограниченных порогом в 1600 Мгц, хорошим решением будет найти максимально низкие стабильные тайминги. Ну а оставаться на частоте в 1333 Мгц даже при низких таймингах смысла довольно мало, скорость памяти по современным меркам будет весьма посредственной.

Как узнать скорость записи\чтения и латентность памяти

Проще всего — запустив тест кэша и памяти в Aida64. После прохождения программа покажет все необходимые данные, а также текущую скорость памяти и основные тайминги. Сохранив скриншот этого окна, можно будет легко сравнить результаты после изменения конфигурации ram.

aida64-300x288

Результат теста кэша и памяти

Aida 64 — платный софт с ограниченным бесплатным функционалом. Но если покупать полноценную версию по каким-то причинам не хочется, ключ для активации легко находится в том же гугле.

Как проверить стабильность памяти

Если система запустилась на желаемой частоте с выбранными таймингами, это еще не значит, что она стабильна. Чтобы не словить синий экран в процессе игры или работы — проверяйте стабильность памяти. Стандартные тесты, вроде Aida64 могут и не выявить ошибки в работе ram. Лучше использовать для этого специальный софт, например TestMem5 (программа бесплатная).

testmem5-300x297

Помимо стандартных настроек, существуют и пользовательские конфиги для TestMem. Одним из наиболее популярных считается конфиг от 1usmus. Для его использования — замените содержимое файла MT.cfg в папке bin программы. Стандартные настройки можно забэкапить в другой файл.

Memory Test config file v0.02
Copyrights to the program belong to me.
Serj
testmem.tz.ru
serj_m@hotmail.com

[Main Section]
Config Name=Default
Config Author=1usmus_v2
Cores=0
Tests=15
Time (%)=100
Cycles=5
Language=0
Test Sequence=6,12,2,10,5,1,4,3,0,13,9,7,8,1,11,14

[Global Memory Setup]
Channels=2
Interleave Type=1
Single DIMM width, bits=64
Operation Block, byts=64
Testing Window Size (Mb)=880
Lock Memory Granularity (Mb)=16
Reserved Memory for Windows (Mb)=128
Capable=0×1
Debug Level=7

[Window Position]
WindowPosX=1105
WindowPosY=691

[Test0]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0

[Test1]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=1
Pattern Param0=0x1E5F
Pattern Param1=0×45357354
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=16

[Test2]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x14AAB7
Pattern Param1=0x6E72A941
Parameter=254
Test Block Size (Mb)=32

[Test3]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=1
Test Block Size (Mb)=0

[Test4]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove128
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=510
Test Block Size (Mb)=0

[Test5]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=4
Test Block Size (Mb)=0

[Test6]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x5D0
Pattern Param1=0x143FBC767
Parameter=125
Test Block Size (Mb)=1

[Test7]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=2

[Test8]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x153AA
Pattern Param1=0xDC7728C0
Parameter=358
Test Block Size (Mb)=0

[Test9]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=4

[Test10]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305B
Pattern Param1=0x97893FB2
Parameter=477
Test Block Size (Mb)=8

[Test11]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x98FB
Pattern Param1=0x552FE552F
Parameter=8568
Test Block Size (Mb)=16

[Test12]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xC51C
Pattern Param1=0xC50552FE6
Parameter=787
Test Block Size (Mb)=32

[Test13]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xB79D9
Pattern Param1=0x253B69D94
Parameter=8968
Test Block Size (Mb)=64

[Test14]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305A
Pattern Param1=0x17893AB21
Parameter=265
Test Block Size (Mb)=64

Успешным считается прохождение теста, при котором нет ни одной ошибки.

Где можно недорого докупить памяти

С массовым переходом на DDR4, память предыдущего поколения хоть и не сильно, но подешевела. Приобрести DDR3 можно на aliexpress, это наиболее выгодный и удобный способ.

Обычные десктопные модули можно купить здесь (Zifei), здесь (Atermiter) и вот тут (Kingston HyperX \ Fury). С недавних пор память выпускает даже Huananzhi.

Модули для ноутбуков продаются здесь и здесь.

Недорогая серверная DDR3 ECC REG есть у следующих продавцов:

  • Первый
  • Второй

Поделиться «Подбираем тайминги для DDR3 ECC \ non-ECC»

Что такое и как узнать тайминги (латентность) в оперативной памяти

В этой статье мы разберемся, что такое тайминги оперативной памяти. Узнаем какие параметры латентности лучше для скорости и как их посмотреть на компьютере или ноутбуке. Поймем, как правильно подобрать и выставить тайминги оперативки и на что они влияют. Дам ссылку на калькулятор таймингов и таблицу для основных типов памяти и частот.

Обычно при выборе оперативной памяти для настольного ПК или ноутбука, мы смотрим на объём ОЗУ, тактовую частоту и тип памяти DDR для ее совместимости с материнской платой. Однако у оперативки есть еще такая характеристика, как тайминги или по научному — латентность. И вот на этот параметр обращают внимание только специалисты и продвинутые геймеры.

Да, латентность менее важна, чем объем модуля и его рабочая частота, но при грамотном подходе ее уменьшение может дать пусть и не большое, но все же ускорение работы вашего компьютера. Чем более грамотно и сбалансированно подобраны комплектующие ПК или ноутбука, тем больше может дать прироста в скорости установка памяти с меньшими таймингами.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает оперативка.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью и значит тем производительней оперативная память.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных.

В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел:

CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24

, или только одна, например CL11

. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series [R5S316G1601U2K] 2х8 ГБ

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

По большому счету остальные задержки малозначительны и при выборе планок памяти достаточно обращать внимание только на этот параметр.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Как изменить

Изменить тайминги можно, как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения при помощи разгона. Для этого необходима тонкая настройка частоты работы модуля и его напряжения. Путем уменьшения или увеличения частоты работы памяти, так же уменьшаются или увеличиваются тайминги. Эти параметры подбираются индивидуально для каждого модуля памяти или наборов памяти.

Вот один из комментариев к памяти, о которой я рассказывал выше ⇓

Память очень достойная! С базовой частоты 1600 mhz удалось разогнать до 2200 mhz с таймингами 11-12-12-28 на напряжении 1.65v.

Разгон по частоте составил 27%, что очень хороший результат. При этом тайминги и напряжение были повышены минимально. Такой разгон довольно заметно сказался на всей скорости работы компьютера.

Весь смысл этого действа, подобрать такие оптимальные характеристики частоты, таймингов и напряжения, чтобы модуль/модули памяти выдавали максимальную скорость работы и при этом стабильно работали в таком режиме. Это требует времени и знаний.

Так же материнка должна поддерживать разгон оперативки. Сейчас есть планки памяти со встроенным XMP профилем. В нем уже прописаны заводские параметры разгона, с которыми память может работать. Вам остается только применить нужный XMP профиль и оперативка запуститься с этими параметрами.

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа на вопрос, как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами. Они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Изменение таймингов позволяет повысить быстродействие компьютера. Для памяти DDR3 это не самый важный параметр и прирост будет не слишком большим, но если компьютер много работает с тяжелыми приложениями, пренебрегать им не стоит. В полной мере это относится и к более современной DDR4.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме.

К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам. Вот калькулятор таймингов для процессоров Ryzen.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности.

Судя по результатам независимых тестирований, быструю память любят компьютерные игры, а также программы для работы с графикой и видео-контентом.

Нужно учитывать, что слишком сильное уменьшение задержек памяти может привести к нестабильной работе компьютера и даже к тому, что он откажется запускаться. В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в БИОС. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Все изменения таймингов необходимо производить не торопясь, имеет смысл менять по одному параметру и только на такт. После этого важно проверить, сможет ли компьютер стартовать и загрузить операционную систему.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения.

Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Что больше влияет на скорость работы оперативной памяти — более низкие тайминги или более высокая частота

Самое важное, что вы должны понять и запомнить, чтобы разобраться в этом вопросе раз и навсегда, это то, что ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЧАСТОТЫ, НА КОТОРОЙ РАБОТАЕТ МОДУЛЬ ОЗУ, АВТОМАТИЧЕСКИ ПОВЫШАЮТСЯ И ЗАДЕРЖКИ ПАМЯТИ. При понижении частоты, они уменьшаются. Это хорошо видно при сравнении планок памяти разных поколений.

Для сравнения скорости работы, возьмем два разных типа оперативки. Более старого DDR3 и современного DDR4.

Сравнение таймингов у оперативной памяти DDR4 и DDR3

Сравнить скорость разных модулей ОЗУ в наносекундах можно с помощью формулы ⇓

Тайминг*2000/частоту памяти. Например планка DDR4 с таймингом CL16 будет работать со скоростью 16*2000/3000=10.6 nanosec, а DDR3 с таймингом CL9 со скоростью 9*2000/1600=11.25 nanosec.

Как видно из примера частота работы памяти тоже очень важна. У DDR3 латентность намного ниже, чем у DDR4, но частота работы модуля DDR4 заметно выше DDR3. Хоть не намного, но DDR4 опережает DDR3 по скорости работы. Так же у него еще и большая пропускная способность. У будущей DDR5 я думаю разница в скорости будет еще больше.

Выходит, что тактовая частота оперативки влияет на производительность в большей степени, чем более низкие тайминги. Конечно, если выбор стоит между планками с одинаковой частотой, то лучше выбрать ту, у которой меньшие задержки.

Если кто-то хочет более серьезно разобраться с этим вопросом, вот ссылочка на таблицу по таймингам в Гуглдокс.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и будут одинаковые тайминги.

Факты

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки.

Во времена оперативки DDR и DDR2, таймингам придавалось большое значение, поскольку кэш процессоров был значительно меньше, чем сейчас и приходилось часто обращаться к памяти.

Современные центральные процессоры имеют большие L2 и L3 кэш, что позволяет им гораздо реже обращаться к памяти. В случае маленьких программ, их данные могут целиком помещается в кэш процессора и тогда обращение к памяти вовсе не требуется.

Тайминг оперативной памяти. Оперативная память компьютера

Тайминги оперативной памяти — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют временные задержки в тактах шины памяти. Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью.

Как это работает и на что смотреть

Для того, чтобы получить необходимые данные из памяти, центральный процессор должен получить доступ к ячейке по определенному адресу. Оперативная память современного компьютера организована в виде страниц, то есть, фиксированных участков, размером от нескольких килобайт до нескольких мегабайт. Информация об адресах этих страниц содержится в таблицах.

Работает это так: сначала процессор делает запрос к нужной к таблице, затем к строке таблицы, и уже потом к нужному столбцу, где и получает доступ к странице с необходимыми ему данными. Память современных компьютеров исчисляется гигабайтами, а размер таблиц ограничен, поэтому используется многоуровневая структура, где таблицы группируются в специальные «каталоги».

Скорость выполнения всех этих запросов очень велика, но все-таки ограничена физическими возможностями конкретной архитектуры. Задержки возникают при выполнении практически любой операции: при обращении к столбцу или строке таблицы, при переключении между строками таблицы, между завершением одного запроса и подачей следующего и т.д. Эти задержки и называют таймингами.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24 polnaya-markirovka-taymingov-pamyati-na-operativke.jpg, или только одна, например CL14 sokraschennye-taymingi-na-operativnoy-pamyati.jpg, которая указывает на самый важный тайминг — латентность.

Порядок, в котором указываются тайминги в маркировке, стандартен:

  1. Сначала идет латентность (CAS Latency или CL);
  2. Затем RAS to CAS Delay (tRCD);
  3. Следом RAS Precharge (tRP);
  4. И четвертый — это Active to Precharge Delay (tRAS).

Рассмотрим более более подробно, на что влияют тайминги оперативной памяти:

  • CAS Latency (CL) или латентность оперативной памяти — самый важный среди таймингов. Латентность — это задержка между моментом запроса со стороны процессора к памяти и получением этих данных.
  • RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между обращением к столбцу матрицы адресов страниц оперативной памяти и обращением к строке этой же матрицы.
  • RAS Precharge (tRP) — задержка между закрытием доступа к одной строке матрицы и открытием доступа к другой.
  • Active to Precharge Delay (tRAS) — Задержка, необходимая на возвращение памяти к ожиданию следующего запроса.

Помимо этого, в маркировке модуля может присутствовать такой параметр, как Command Rate (CMD). Command Rate указывает на задержку, которая произойдет с момента активации памяти до того, когда можно будет выполнить первый запрос. Обычно он указывается следом за таймингами и может иметь значение T1 или T2, что соответствует 1 или 2 тактному циклу.

Чем каждый из параметров таймингов меньше, тем лучше.

Как узнать

Для того, чтобы узнать тайминги установленной в системе памяти, не обязательно вскрывать системный блок или корпус ноутбука. Эту задачу можно решить, просто установив соответствующую программу. Из всего многообразия приложений можно отметить такие как:

taymingi-pamyati-v-cpu-z.jpg

  • CPU-Z — бесплатная утилита, способная выдать подробную информацию о платформе компьютера и в частности оперативной памяти .
  • AIDA64 — выдает информацию о конфигурации компьютера и позволяет протестировать производительность отдельных подсистем. Программа платная, но у нее есть пробный период.
  • SiSoftware Sandra — еще одна программа для получения информации о конфигурации компьютера, версия Lite бесплатна.

Возможностей этих приложений более чем достаточно, чтобы узнать тайминги ОЗУ, а так же много другой информации об установленном «железе».

Использование программ, пожалуй, единственный способ получить ответ на вопрос: как узнать тайминги оперативной памяти на ноутбуке, в котором модули распаяны на системной плате или не имеют маркировки, что встречается очень часто.

Кроме того, на многих материнских платах и ноутбуках можно зайти в BIOS и найти, где посмотреть тайминги оперативной памяти. Навигация по BIOS, названия разделов и даже обозначения таймингов у разных производителей могут несколько отличаться, если не понятно, где искать, стоит обратиться к документации.

На что влияют

Сразу стоит отметить, что нельзя сравнивать напрямую тайминги у модулей памяти, работающих на разных частотах, не говоря уже о разных типах ОЗУ.

Например, есть два модуля памяти стандарта DDR3, один работает на частоте 1333 МГц и имеет задержки 9-9-9-24, другой имеет частоту 2133 МГц и тайминги 11-11-11-31. Казалось бы, задержки меньше у первого, но на практике второй будет быстрее за счет более высокой частоты. Таким образом, сравнение таймингов стоит делать только для модулей, работающих на одинаковой частоте.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и одинаковые тайминги.

Как изменить

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа: как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами, они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Изменение таймингов позволяет повысить быстродействие компьютера. Для памяти DDR3 это не самый важный параметр и прирост будет не слишком большим, но если компьютер много работает с тяжелыми приложениями, пренебрегать им не стоит. В полной мере это относится и к более современной DDR4.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме. К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности. Судя по результатам независимых тестирований, быструю память любят компьютерные игры, а также программы для работы с графикой и видео-контентом. Нужно учитывать, что слишком сильное уменьшение задержек памяти может привести к нестабильной работе компьютера и даже к тому, что он откажется запускаться. В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в BIOS. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Все изменения таймингов необходимо производить не торопясь, имеет смысл менять по одному параметру и только на такт. После этого важно проверить, сможет ли компьютер стартовать и загрузить операционную систему.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения. Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром — таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

Что такое тайминги ОЗУ?

Тайминг оперативной памяти — это временной интервал, за который команда, отправляемая контроллером ОЗУ, выполняется. Измеряется эта единица в количестве тактов, которые пропускаются вычислительной шиной, пока идет обработка сигнала. Сущность работы таймингов проще понять, если разобраться в устройстве микросхем ОЗУ.

Оперативная память компьютера состоит из большого количества взаимодействующих ячеек. Каждая имеет свой условный адрес, по которому к ней обращается контроллер ОЗУ. Координаты ячеек, как правило, прописываются посредством двух параметров. Условно их можно представить как номера строк и столбцов (как в таблице). В свою очередь, группы адресов объединяются, чтобы контроллеру было «удобнее» находить конкретную ячейку в более крупную область данных (иногда ее называют «банком»).

537879.jpg

Таким образом, запрос к ресурсам памяти осуществляется в две стадии. Сначала контроллер отправляет запрос к «банку». Затем он запрашивает номер «строки» ячейки (посылая сигнал типа RAS) и ждет ответа. Длительность ожидания — это и есть тайминг оперативной памяти. Его общепринятое наименование — RAS to CAS Delay. Но это еще не все.

Контроллеру, чтобы обратиться к конкретной ячейке, нужен также и номер приписанного к ней «столбца»: посылается другой сигнал, типа CAS. Время, пока контроллер ждет ответа, — это тоже тайминг оперативной памяти. Он называется CAS Latency. И это еще не все. Некоторые IT-специалисты предпочитают интерпретировать такое явление, как CAS Latency, несколько иначе. Они полагают, что этот параметр указывает, сколько должно пройти единичных тактов в процессе обработки сигналов не от контроллера, а от процессора. Но, как отмечают эксперты, речь в обоих случаях, в принципе, идет об одном и том же.

537880.jpg

Контроллер, как правило, работает с одной и той же «строкой», на которой расположена ячейка, не один раз. Однако, прежде чем обратиться к ней повторно, он должен закрыть предыдущую сессию запроса. И только после этого возобновлять работу. Временной интервал между завершением и новым вызовом строки — это тоже тайминг. Называется он RAS Precharge. Уже третий по счету. На этом все? Нет.

Поработав со строкой, контроллер должен, как мы помним, закрыть предыдущую сессию запроса. Временной интервал между активацией доступа к строке и его закрытием — это тоже тайминг оперативной памяти. Его наименование — Active to Precharge Delay. В принципе, теперь все.

Мы насчитали, таким образом, 4 тайминга. Соответственно, записываются они всегда в виде четырех цифр, например, 2-3-3-6. Кроме них, к слову, есть еще один распространенный параметр, которым характеризуется оперативная память компьютера. Речь идет о значении Command Rate. Оно показывает, какое минимальное время тратит контроллер на то, чтобы переключиться от одной команды к другой. То есть, если для CAS Latency значение — 2, то временная задержка между запросом от процессора (контролера) и ответом модуля памяти составит 4 такта.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой «стандарт») таков: первая цифра — это CAS Latency, вторая — RAS to CAS Delay, третья — RAS Precharge и четвертая — Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения — T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму — 2.

О чем говорят тайминги?

Как известно, объем ОЗУ — один из ключевых показателей производительности этого модуля. Чем он больше — тем лучше. Другой важный параметр — это частота оперативной памяти. Здесь тоже все однозначно. Чем она выше, тем ОЗУ будет работать быстрее. А что с таймингами?

537878.jpg

В отношении них закономерность иная. Чем меньше значения каждого из четырех таймингов — тем лучше, тем производительнее память. И тем быстрее, соответственно, работает компьютер. Если у двух модулей с одинаковой частотой разные тайминги оперативной памяти, то и их производительность будет отличаться. Как мы уже определили выше, нужные нам величины выражаются в тактах. Чем их меньше, тем, соответственно, быстрее процессор получает ответ от модуля ОЗУ. И тем скорее он может «воспользоваться» такими ресурсами, как частота оперативной памяти и ее объем.

«Заводские» тайминги или свои?

Большинство пользователей ПК предпочитает использовать те тайминги, которые установлены еще на конвейере (либо в опциях материнской платы выставлена автонастройка). Однако на многих современных компьютерах есть возможности для того, чтобы выставить нужные параметры вручную. То есть, если нужны более низкие значения — их, как правило, можно проставить. Но как изменить тайминги оперативной памяти? Причем сделать это так, чтобы система работала стабильно? А еще, быть может, есть случаи, при которых лучше выбрать увеличенные значения? Как выставить тайминги оперативной памяти оптимальным образом? Сейчас мы попробуем дать ответы на эти вопросы.

Настраиваем тайминги

Заводские значения таймингов прописываются в специально отведенной области микросхемы ОЗУ. Называется она SPD. Используя данные из нее, система BIOS адаптирует оперативную память к конфигурации материнской платы. Во многих современных версиях BIOS настройки таймингов, выставленные по умолчанию, можно корректировать. Практически всегда это осуществляется программным методом — через интерфейс системы. Изменение значений как минимум одного тайминга доступно в большинстве моделей материнских плат. Есть, в свою очередь, производители, которые допускают тонкую настройку модулей ОЗУ при задействовании гораздо большего количества параметров, чем четыре указанных выше типа.

537876.jpg

Чтобы войти в область нужных настроек в BIOS, нужно, зайдя в эту систему (клавиша DEL сразу после включения компьютера), выбрать пункт меню Advanced Chipset Settings. Далее в числе настроек находим строку DRAM Timing Selectable (может звучать несколько по-другому, но похоже). В нем отмечаем, что значения таймингов (SPD) будут выставляться вручную (Manual).

Как узнать тайминг оперативной памяти, установленный в BIOS по умолчанию? Для этого мы находим в соседствующих настройках параметры, созвучные CAS Latency, RAS to CAS, RAS Precharge и Active To Precharge Delay. Конкретные значения таймингов, как правило, зависят от типа модулей памяти, установленных на ПК.

537892.jpg

Выбирая соответствующие опции, можно задавать значения таймингов. Эксперты рекомендуют понижать цифры очень постепенно. Следует, выбрав желаемые показатели, перезагружаться и тестировать систему на предмет устойчивости. Если компьютер работает со сбоями, нужно вернуться в BIOS и выставить значения на несколько уровней выше.

Оптимизация таймингов

Итак, тайминги оперативной памяти — какие лучше значения для них выставлять? Почти всегда оптимальные цифры определяются в ходе практических экспериментов. Работа ПК связана не только с качеством функционирования модулей ОЗУ, и далеко не только скоростью обмена данными между ними и процессором. Важны многие другие характеристики ПК (вплоть до таких нюансов, как система охлаждения компьютера). Поэтому практическая результативность изменения таймингов зависит от конкретной программно-аппаратной среды, в которой пользователь производит настройку модулей ОЗУ.

Общую закономерность мы уже назвали: чем ниже значения таймингов, тем выше скорость работы ПК. Но это, конечно, идеальный сценарий. В свою очередь, тайминги с пониженными значениями могут пригодиться при «разгоне» модулей материнской платы — искусственном завышении ее частоты.

537874.jpg

Дело в том, что если придать микросхемам ОЗУ ускорение в ручном режиме, задействовав слишком большие коэффициенты, то компьютер может начать работать нестабильно. Вполне возможен сценарий, при котором настройки таймингов будут выставлены настолько некорректно, что ПК и вовсе не сможет загрузиться. Тогда, скорее всего, придется «обнулять» настройки BIOS аппаратным методом (с высокой вероятностью обращения в сервисный центр).

В свою очередь, более высокие значения для таймингов могут, несколько замедлив работу ПК (но не настолько, чтобы скорость функционирования была доведена до режима, предшествовавшего «разгону»), придать системе стабильности.

Некоторыми IT-экспертами подсчитано, что модули ОЗУ, обладающие CL в значении 3, обеспечивают примерно на 40 % меньшую задержку в обмене соответствующими сигналами, чем те, где CL равен 5. Разумеется, при условии, что тактовая частота и на том, и на другом одинаковая.

Дополнительные тайминги

Как мы уже сказали, в некоторых современных моделях материнских плат есть возможности для очень тонкой настройки работы ОЗУ. Речь, конечно, не идет о том, как увеличить оперативную память — этот параметр, безусловно, заводской, и изменению не подлежит. Однако в предлагаемых некоторыми производителями настройках ОЗУ есть очень интересные возможности, задействуя которые, можно существенно ускорить работу ПК. Мы же рассмотрим те, что относятся к таймингам, которые можно конфигурировать в дополнение к четырем основным. Важный нюанс: в зависимости от модели материнской платы и версии BIOS, названия каждого из параметров могут отличаться от тех, которые мы сейчас приведем в примерах.

1. RAS to RAS Delay

Этот тайминг отвечает за задержку между моментами, когда активизируются строки из разных областей консолидации адресов ячеек («банков» то есть).

2. Row Cycle Time

Этот тайминг отражает временной интервал, в течение которого длится один цикл в рамках отдельной строки. То есть от момента ее активизации до начала работы с новым сигналом (с промежуточной фазой в виде закрытия).

3. Write Recovery Time

Данный тайминг отражает временной интервал между двумя событиями — завершением цикла записи данных в память и началом подачи электросигнала.

4. Write To Read Delay

Данный тайминг показывает, сколько должно пройти времени между завершением цикла записи и моментом, когда начинается чтение данных.

Во многих версиях BIOS также доступен параметр Bank Interleave. Выбрав его, можно настроить работу процессора так, чтобы он обращался к тем самым «банкам» ОЗУ одновременно, а не по очереди. По умолчанию этот режим функционирует автоматически. Однако можно попробовать выставить параметр типа 2 Way или 4 Way. Это позволит задействовать 2 или 4, соответственно, «банка» одновременно. Отключение режима Bank Interleave используется довольно редко (это, как правило, связано с диагностикой ПК).

Настройка таймингов: нюансы

Назовем некоторые особенности, касающиеся работы таймингов и их настройки. По мнению некоторых IT-специалистов, в ряду из четырех цифр наибольшее значение имеет первая, то есть тайминг CAS Latency. Поэтому, если у пользователя немного опыта в «разгоне» модулей ОЗУ, эксперименты, возможно, следует ограничить выставлением значений только для первого тайминга. Хотя эта точка зрения не является общепринятой. Многие IT-эксперты склонны считать, что три других тайминга не менее значимы с точки зрения скорости взаимодействия между ОЗУ и процессором.

В некоторых моделях материнских плат в BIOS можно настроить производительность микросхем оперативной памяти в нескольких базовых режимах. По сути, это выставление значений таймингов по шаблонам, допустимым с точки зрения стабильной работы ПК. Эти опции обычно соседствуют с параметром Auto by SPD, а режимы, о которых идет речь, — Turbo и Ultra. Первый подразумевает умеренное ускорение, второй — максимальное. Эта возможность может быть альтернативой выставлению таймингов вручную. Похожие режимы, к слову, есть во многих интерфейсах усовершенствованной системы BIOS — UEFI. Во многих случаях, как отмечают эксперты, при включении опций Turbo и Ultra достигается в достаточной мере высокая производительность ПК, а его работа при этом стабильна.

Такты и наносекунды

Реально ли выразить тактовые циклы в секундах? Да. И для этого существует очень простая формула. Такты в секундном выражении считаются делением единицы на фактическую тактовую частоту ОЗУ, указываемую производителем (правда, этот показатель, как правило, нужно делить на 2).

То есть, например, если мы хотим узнать такты, формирующие тайминги оперативной памяти DDR3 или 2, то мы смотрим на ее маркировку. Если там указана цифра 800, то фактическая частота ОЗУ будет равна 400 МГЦ. Это значит, что длительность такта составит значение, получаемое в результате деления единицы на 400. То есть 2,5 наносекунды.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ — микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений — DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

537875.jpg

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, — не самый главный аспект «разгона» (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, — более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

Похожие статьи

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, – оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5–10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы – почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память – это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

  1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
  2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
  3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
  4. При чтении данных – зарядов конденсаторов – их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
  5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция – Refresh – выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги – временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) – пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) – время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) – временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) – время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T – за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) – время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer – время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое – величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Таблица соответствия реальной, эффективной частоты работы и рейтинга разных типов ОЗУ

Тип памяти Рейтинг
DDR PC 2100 133 266
PC 2700 167 333
PC 3200 200 400
ЗС 3500 217 434
PC 4000 250 500
PC 4300 266 533
DDR2 PC2 4300 266 533
PC2 5400 333 667
PC2 6400 400 800
PC2 8000 500 1000
PC2 8500 533 1066
PC2 9600 600 1200
PC2 10 400 650 1300
DDR3 PC3 8500 533 1066
PC3 10 600 617,5 1333
PC3 11 000 687,5 1375
PC3 12 800 800 1600
PC3 13 000 812,5 1625
PC3 14 400 900 1800
PC3 15 000 933 1866

Основные тайминги памяти

Подобную формулу задержек часто можно обнаружить на стикерах модулей ОЗУ. В ней представлены лишь основные тайминги, в наибольшей мере влияющие на производительность подсистемы памяти.

Понять, что обозначают эти четыре задержки, и для начала хотя бы запомнить названия, – один из шагов к успешному разгону. Данные тайминги по возможности следует понижать до минимума.

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK – тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND – команды, поступающие на ячейки памяти; READ – операция чтения; NOP – команды отсутствуют; PRE – подзарядка конденсаторов – ячеек памяти; ACT – операция активации строки; ADDRESS – адресация данных к банкам памяти; DQS – шина данных (Data Strobe); DQ – шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL – CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n – считывание данных со строки n. Один такт – временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR – Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 – Micron D9xxx; DDR3 – Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, – повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2–667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг – подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа – MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.

  1. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без).
  2. SPD (Serial Presence Detect) – микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ.
  3. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти.
  4. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов.
  5. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги.
  6. РСВ – печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10–20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2–2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3–2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей – даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Зависимость разгона модулей Team TXDD1024M1066HC5-D от напряжения питания и основных таймингов

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10–15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК – почему бы и нет?

ЕРР и XMP – разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP – расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР – сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Параметр Возможные значения для ЕРР Поддерживается
JEDEC SPD Сокращенный профиль ЕРР Полный профиль ЕРР
CAS Latency 2, 3, 4, 5, 6 Да Да Да
Minimum Cycle time at Supported CAS JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) Да Да Да
Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) JEDEC* Да Да Да
Minimum Row Precharge Time (tRP) JEDEC* Да Да Да
Minimum Active to Precharge Time (tRAS) JEDEC* Да Да Да
Write Recovery Time (tWR) JEDEC* Да Да Да
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) JEDEC* Да Да Да
Voltage Level 1,8–2,5 В Да Да
Address Command Rate 1Т, 2Т Да Да
Address Drive Strenght 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х Да
Chip Select Drive Strenght 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х Да
Clock Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
Data Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
DQS Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
Address/ Command Fine Delay 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK Да
Address/ Command Setup Time 1/2, 1 MEMCLK Да
Chip Select Delay 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK Да
Chip Select Setup Time 1/2, 1 MEMCLK Да
* Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2
Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC.

Дальнейшее развитие данной темы – концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути – будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

Утилита MemSet – один из главных инструментов людей, занимающихся тонкой настройкой (так называемым твикингом) подсистемы памяти. Позволяет кроме основных изменять целый ряд дополнительных таймингов ОЗУ и выдает базовую сервисную информацию.

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала – объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей – дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) – это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Просмотр содержимого SPD-модуля памяти с поддержкой Еnhanced Рerformance Рrofiles с помощью утилиты CPU-Z. Видно, что в ЕРР #1 прописан скоростной режим, позволяющий раскрыть потенциал ОЗУ. Текущие частота работы и задержки подсистемы памяти. Программа CPU-Z позволяет оперативно определить данные настройки и отслеживать их в режиме реального времени (полезно, если вы меняете задержки, находясь в ОС).

Дальше – тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру – высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Читайте также:21 процессор в разгоне: бесплатные мегагерцы

  • https://ramozy.ru/obschee/taymingi-operativnoy-pamyati
  • https://www.syl.ru/article/157419/new_tayming-operativnoy-pamyati-operativnaya-pamyat-kompyutera
  • https://itc.ua/articles/_razgon_-_jeto_prosto_operativnaya_pamyat_31744/

Как подобрать тайминги ddr3

ishyfaq.ru

DDR3 является одним из самых распространенных типов оперативной памяти на сегодняшний день. Однако, многие пользователи не знают, как правильно выбрать тайминги для своей DDR3 памяти. Тайминги определяют время задержки между операциями чтения и записи данных в память, что влияет на производительность компьютера.

В этой статье мы рассмотрим пошаговое руководство по выбору таймингов для DDR3 памяти. В первую очередь, необходимо узнать поддерживаемые тайминги вашей памяти. Для этого можно воспользоваться программами для диагностики системы, такими как CPU-Z или HWiNFO. Они показывают все технические характеристики компьютера, включая данные о памяти.

Затем, на основе поддерживаемых таймингов, можно определить оптимальные значения для DDR3 памяти. Обычно рекомендуется выбирать тайминги с наименьшим значением, чтобы улучшить производительность. Однако, следует быть осторожным, так как слишком низкое значение таймингов может привести к ошибкам и нестабильной работе системы.

Как выбрать тайминги DDR3 для своего компьютера?

DDR3 является одной из наиболее популярных типов оперативной памяти, используемых в компьютерах. Когда дело доходит до оптимизации производительности системы, правильно настроенные тайминги DDR3 могут сыграть важную роль. В этой статье мы расскажем о том, как выбрать правильные тайминги DDR3 для своего компьютера.

Прежде чем перейти к выбору таймингов DDR3, важно понять основные параметры, которые они затрагивают:

  • CAS Latency (CL): это задержка между моментом, когда память получает команду на чтение и моментом, когда данные фактически доступны.
  • RAS to CAS Delay (tRCD): это задержка между моментом, когда память получает команду на активацию строки и моментом, когда она получает команду на чтение или запись данных.
  • RAS Precharge Time (tRP): это время, необходимое для того, чтобы память закрыла строки после завершения операции чтения или записи.
  • Row Cycle Time (tRC): это время, необходимое для завершения цикла активации строки, его чтения и записи.
  • Command Rate (CR): это параметр, который определяет время между командами, отправляемыми на память.

После понимания основных параметров таймингов DDR3 можно приступать к проверке возможных значений, поддерживаемых вашей оперативной памятью и системой. Часто можно найти информацию о поддерживаемых таймингах в описании продукта или на сайте производителя. Также можно воспользоваться программами, которые позволяют прочитать данные SPD (Serial Presence Detect) на модулях памяти, такие как CPU-Z или HWiNFO.

Выбор таймингов DDR3 является компромиссом между производительностью и стабильностью системы. Более агрессивные тайминги могут улучшить производительность, но могут вызывать нестабильность или проблемы при оверклокинге. Наоборот, более консервативные тайминги обеспечивают большую стабильность, но могут немного снизить производительность.

После выбора определенных значений таймингов DDR3 важно провести тестирование, чтобы убедиться, что система стабильна и работает без ошибок. Можно использовать специальные программы для тестирования стабильности системы, такие как MemTest86+ или Prime95, чтобы проверить, как система справляется с различными комбинациями таймингов.

Если вам трудно определиться с выбором таймингов DDR3 или вы хотите получить дополнительные рекомендации, вы всегда можете обратиться за помощью к опытным профессионалам, например, к специалистам в магазине компьютерной техники или на форумах, посвященных компьютерным железным.

Важно помнить, что настройка таймингов DDR3 может потребовать опыта и времени. Если вы не уверены в своих навыках, лучше доверить эту задачу специалистам. Неправильные настройки таймингов могут привести к нестабильной работе системы или даже повреждению компонентов.

Шаг 1. Понимание основных понятий и характеристик DDR3

DDR3 (Double Data Rate 3) — это тип памяти, который широко используется в современных компьютерах. Он был разработан как преемник DDR2 и предлагает более высокую скорость передачи данных и более низкое энергопотребление.

Основные характеристики DDR3 включают:

  • Пропускная способность: DDR3 имеет высокую пропускную способность, которая измеряется в гигабитах в секунду (Gbps) или мегабайтах в секунду (MBps). Более высокая пропускная способность означает, что память может передавать данные быстрее и обеспечивать более плавную работу системы.
  • Частота: Частота DDR3 измеряется в мегагерцах (MHz) и определяет скорость, с которой память может передавать данные. Чем выше значение частоты, тем быстрее будет работать память.
  • Задержка: Задержка или тайминги DDR3 определяют, как долго память должна ждать передачи или чтения данных после получения команды. Более низкие значения задержки обычно означают более быстрое выполнение операций.
  • Напряжение: Напряжение DDR3 измеряется в вольтах (V) и указывает на энергопотребление памяти. Это важный фактор при выборе модулей памяти, поскольку более низкое напряжение может улучшить эффективность и снизить нагрев.
  • Комплектность: DDR3 модули памяти предлагаются в различных количествах и объемах. Некоторые комплекты включают один модуль, в то время как другие предлагают комплекты из двух или более модулей памяти. Рекомендуется использовать парные модули, чтобы обеспечить лучшую совместимость и производительность.

Разработчики DDR3 постоянно совершенствуют этот тип памяти, поэтому важно соблюдать рекомендации производителя компьютера или материнской платы при выборе и установке модулей DDR3.

Шаг 2. Зависимость производительности от таймингов

Тайминги DDR3-памяти имеют прямое влияние на ее производительность. Знание, как выбрать оптимальные тайминги, позволит достичь максимального эффекта от использования DDR3-памяти. В этом разделе мы рассмотрим основные параметры таймингов и их влияние на производительность.

1. CAS Latency (CL)

Один из основных параметров таймингов — CAS Latency (CL) или Column Address Strobe Latency. Он определяет количество тактов, через которое память может выполнить запрошенную операцию после получения адреса столбца (Column Address Strobe). Чем меньше значение CAS Latency, тем быстрее будет выполняться операция.

2. RAS to CAS Delay (tRCD)

Значение RAS to CAS Delay (tRCD) или Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay определяет время задержки между активацией строки (Row Address Strobe) и выбором столбца (Column Address Strobe). Меньшее значение tRCD обеспечивает более высокую производительность.

3. Row Precharge Time (tRP)

Row Precharge Time (tRP) определяет задержку между дективацией строки (Row Precharge) и активацией следующей строки. Как и в предыдущих случаях, меньшее значение tRP приводит к более высокой производительности.

4. Active to Precharge Time (tRAS)

Active to Precharge Time (tRAS) определяет время, которое память должна подождать перед активацией следующей строки после дективации текущей. Низкое значение tRAS также влияет на производительность.

5. Command Rate (CR)

Command Rate (CR) определяет количество тактов, необходимых для выполнения команды на память. Более низкое значение CR (обычно 1T) может повысить производительность, но требует, чтобы память была стабильной и имела хорошее охлаждение.

Оптимальные значения таймингов зависят от конкретного модуля памяти, его частоты и рабочего напряжения. Чтобы определить оптимальные значения для вашей DDR3-памяти, рекомендуется ознакомиться с инструкцией производителя или провести дополнительные тесты и настройки в BIOS.

Шаг 3. Определение максимальной частоты памяти вашей системы

Определение максимальной частоты памяти вашей системы поможет вам узнать, какую максимальную скорость передачи данных может обеспечить ваш модуль памяти DDR3.

Для определения максимальной частоты памяти вам потребуется программа, которая позволит вам просмотреть характеристики вашей системы, включая информацию о памяти. Одним из популярных инструментов для этой цели является программа CPU-Z.

  1. Скачайте и установите программу CPU-Z с официального сайта или любого другого надежного источника.
  2. Запустите программу CPU-Z.
  3. Перейдите на вкладку «Memory», которая содержит информацию о вашей памяти.
  4. Ознакомьтесь с полями, которые отображаются на вкладке «Memory». Вам потребуется информация о частоте памяти (например, «Frequency») и о типе памяти (например, «DDR3»).
  5. Запишите эти значения для использования при выборе таймингов памяти.

Значения, которые вы найдете в программе CPU-Z, помогут вам определить максимальную частоту памяти, которую может поддерживать ваша система. Например, если ваша память работает на частоте 1333 МГц, то вы должны выбрать тайминги, соответствующие этой частоте.

Обратите внимание, что не все системы поддерживают одинаковые максимальные частоты памяти. Поэтому очень важно знать именно максимальную частоту вашей системы, чтобы выбрать тайминги, которые будут работать оптимально.

Шаг 4. Поиск совместимых таймингов для вашей системы

После того, как вы определили максимально возможную частоту памяти вашей системы, настало время найти подходящие тайминги для ее работы. Тайминги определяют время, необходимое для завершения определенной операции памяти, и они могут значительно повлиять на производительность вашей системы.

Для начала вам понадобится собрать информацию о вашей памяти. Узнайте модель и производителя ваших модулей памяти, а также их спецификации. Важно иметь в виду, что не все тайминги будут поддерживаться вашей системой или материнской платой, поэтому необходимо выбрать подходящие значения из тех, что доступны.

Существует несколько методов для определения оптимальных таймингов для вашей системы:

  1. Консультация с документацией к вашей материнской плате и производителем памяти. В них обычно указываются рекомендуемые настройки или значения таймингов.
  2. Поиск в Интернете. Многие пользователи делятся своим опытом использования определенных таймингов для конкретных модулей памяти и систем. Однако помните, что результаты могут варьироваться в зависимости от вашей конкретной системы.
  3. Использование специальных программных инструментов. Существуют программы, которые могут сканировать вашу систему и рекомендовать оптимальные настройки таймингов. Однако будьте осторожны при использовании таких программ, так как они могут внести изменения, которые могут привести к потере данных или нестабильной работе системы.

После того, как вы определите подходящие тайминги, вы можете внести их изменения в BIOS вашей системы. Обычно это делается в разделе «Advanced» или «DRAM Configuration». Найдите соответствующие настройки и введите значения таймингов.

После внесения изменений сохраните настройки и перезагрузите систему. Проверьте работу системы и производительность. Если все работает стабильно, то вы успешно настроили тайминги памяти для вашей системы.

Однако, если возникают проблемы, такие как аномальное поведение или сбои, вернитесь в BIOS и попробуйте изменить значения таймингов или вернуться к значениям по умолчанию.

Шаг 5. Проверка наличия XMP-профилей в BIOS

Перед тем, как настраивать тайминги DDR3 вручную, обязательно проверьте наличие XMP-профилей в BIOS вашего компьютера. XMP (Extreme Memory Profile) — это специальные профили, которые разработчики памяти предлагают для удобной настройки таймингов и частоты памяти.

Для проверки наличия XMP-профилей в BIOS выполните следующие действия:

  1. Перезагрузите компьютер и нажмите клавишу DEL или F2 (в зависимости от производителя материнской платы) во время старта компьютера, чтобы войти в BIOS.
  2. Внимательно изучите разделы меню BIOS и найдите раздел, связанный с памятью или частотой системной памяти.
  3. Если раздел, связанный с памятью, содержит опцию «XMP», то ваш BIOS поддерживает XMP-профили.
  4. Выберите опцию «XMP» и проверьте, есть ли доступные XMP-профили для вашей оперативной памяти.
  5. Если XMP-профили доступны, выберите подходящий профиль с настройками, предложенными разработчиком памяти, чтобы автоматически настроить тайминги и частоту памяти.

Если в BIOS не найдены XMP-профили или вы хотите настроить тайминги и частоту памяти вручную, переходите к следующему шагу.

Шаг 6. Ручная настройка таймингов в BIOS

После загрузки компьютера и входа в BIOS, необходимо перейти в раздел «Настройки памяти» или «DRAM Configuration» (наименование может отличаться в зависимости от производителя материнской платы).

В этом разделе можно настроить различные параметры оперативной памяти, в том числе и тайминги. Обычно эти параметры находятся в подразделе «DDR Timing» или «Memory Timing Settings».

Перед ручной настройкой таймингов, рекомендуется внимательно ознакомиться с руководством к материнской плате, поскольку каждый производитель может иметь некоторые особенности в названии и настройке параметров.

Для настройки таймингов обычно предоставляется несколько параметров, например:

  • CAS Latency (CL) – время задержки между командой на чтение и фактическим чтением данных;
  • tRCD – время задержки между командой на чтение и активацией строки;
  • tRP – время задержки между активацией строки и записью данных;
  • tRAS – минимальное время, в течение которого должна быть активирована строка перед переключением на другую строку;
  • tRC – время между активацией строк в разных банках оперативной памяти;
  • Command Rate – время задержки между командами на активацию и прекращение активности строки.

Для настройки таймингов обычно используются числовые значения, но в некоторых BIOS можно выбирать значения из предложенного списка.

Для достижения наилучшей стабильности и производительности, рекомендуется установить тайминги, рекомендуемые производителем модулей памяти. Однако, опытные пользователи могут экспериментировать с различными значениями и находить оптимальные тайминги для своей системы.

После настройки таймингов необходимо сохранить изменения и перезагрузить компьютер. Во время загрузки операционной системы можно проверить стабильность системы с помощью специальных программ, например, MemTest86.

Шаг 7. Тестирование и оптимизация работы памяти

После того как вы настроили все необходимые параметры для работы памяти DDR3, рекомендуется провести тестирование и оптимизацию ее работы. Это позволит убедиться в стабильности и эффективности работы памяти, а также выявить возможные проблемы и недочеты.

Для тестирования памяти можно использовать различные утилиты. Одной из наиболее популярных является программа Memtest86+. Она представляет собой загрузочный диск или USB-накопитель, который позволяет провести полную проверку оперативной памяти компьютера на наличие ошибок. Для тестирования памяти DDR3 рекомендуется запустить Memtest86+ на длительное время, как минимум несколько часов.

В ходе тестирования Memtest86+ будет проверять каждую ячейку памяти на наличие ошибок чтения и записи. Если программа обнаружит ошибки, это может указывать на несовместимость выбранных таймингов или дефекты в модулях памяти. В таком случае необходимо вернуться к предыдущим шагам и перенастроить параметры работы памяти.

Если же тестирование прошло без ошибок, можно приступать к оптимизации работы памяти. Для этого рекомендуется использовать специализированные программы, такие как Thaiphoon Burner и DRAM Calculator for Ryzen. Они позволяют оптимизировать тайминги и другие параметры памяти в соответствии с характеристиками используемых модулей.

При оптимизации памяти DDR3 необходимо учитывать, что увеличение частоты и снижение таймингов может привести к увеличению энергопотребления и нагреву модулей. Поэтому рекомендуется следить за температурой оперативной памяти и системы в целом при проведении оптимизации.

После проведения оптимизации рекомендуется повторно протестировать память с помощью Memtest86+, чтобы убедиться в стабильной работе системы.

Вопрос-ответ

Какие параметры таймингов нужно учитывать при выборе DDR3?

При выборе DDR3 необходимо обратить внимание на следующие параметры таймингов: CAS Latency (CL), tRCD, tRP, tRAS, Command Rate, и другие. Все эти параметры влияют на производительность памяти и ее стабильность при различных нагрузках и операциях.

Как расшифровывается каждый из параметров таймингов DDR3?

CAS Latency (CL) указывает количество тактов, которое требуется для того, чтобы память ответила на запрос. tRCD — это задержка между активацией строк и чтением данных, tRP — задержка между активацией строк и записью данных, tRAS — время, которое уходит на активацию строки и последующий доступ к данным. Command Rate определяет, как быстро память может выполнять команды.

Существуют ли универсальные значения таймингов DDR3 для всех систем?

Нет, универсальных значений таймингов DDR3 для всех систем не существует. Они зависят от конкретных параметров системы, таких как частота шины памяти и процессора, а также от конкретных требований и возможностей оперативной памяти. Поэтому при выборе таймингов необходимо учитывать конкретные характеристики вашей системы.

Как выбрать оптимальные значения таймингов DDR3 для моей системы?

Выбор оптимальных значений таймингов DDR3 для вашей системы требует экспериментов и тестирования. Рекомендуется начать с настройки базовых параметров, таких как CAS Latency (CL) и Command Rate, и затем постепенно настраивать другие параметры, обеспечивая стабильность и производительность системы. Некоторые веб-сайты и программы могут помочь вам автоматически оптимизировать тайминги для вашей системы.

Каково значение волтажа памяти при выборе таймингов DDR3?

Значение волтажа памяти зависит от требований оперативной памяти и ваших настроек системы. Оно может быть указано на упаковке памяти или в руководстве. Рекомендуется придерживаться рекомендуемого волтажа, чтобы избежать проблем совместимости и повреждения памяти.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *